ナノスケール絶縁膜経時破壊 (NanoTDDB)

NanoTDDB™ は、ナノスケールの精度で絶縁破壊の特性評価を可能にします。導電性AFMプローブを流れる電流をモニタリングしながら、最大±220 V の一定または勾配変化させたバイアス電圧を印加できます（MFP-3D Originを除く、全MFP-3Dモデルで利用可能。 MFP-3D Infinityの電圧範囲は±150 V）。

• AFM探針の優れた空間分解能により、従来のプローブステーションでは到底不可能であった、微小な長さスケール（〜20 nm）での、絶縁破壊の局所的測定が可能

• 高解像イメージから測定点を正確に選択したり、グリッド点をマッピングして分析することが可能

お問い合わせ