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ナノスケール絶縁膜経時破壊 (NanoTDDB)

nanoTDDB™ はナノスケールの精度で誘電体薄膜の破壊電圧を検出できるため、その特性評価が可能となります。導電性AFMプローブを流れる電流をモニタリングしながら、最大±220 V の一定または勾配変化させたバイアス電圧を印加できます(MFP-3D Originを除く、全MFP-3Dモデルで利用可能。 MFP-3D Infinityの電圧範囲は±150 V)。

  • AFM探針の優れた空間分解能により、従来のプローブステーションでは到底不可能であった、微小な長さスケール(〜20 nm)での、絶縁破壊の局所的測定が可能

  • 高解像イメージから測定点を正確に選択したり、グリッド点をマッピングして分析することが可能


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