Process Mineralogy and Chemical Analysis

sMIM（Scanning Microwave Impedance Microscopy, 走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡）により、金属、半導体、絶縁体におけるナノスケールの誘電率や導電率のマッピングが可能となります（MFP-3D Originを除く全MFP-3D モデルに対応）。

ORCA™ は Cypher AFM/SPM で利用でき、コンダクティブAFMイメージングやI-V測定が可能です。標準モジュールでは約1 pA〜20 nAの電流を測定できます。異なる電流測定範囲を持つモデルやデュアルゲインモデルも用意しております。

NanoTDDB™ は、ナノスケールの精度で絶縁破壊の特性評価を可能にします。導電性AFMプローブを流れる電流をモニタリングしながら、最大±220 V の一定または勾配変化させたバイアス電圧を印加できます（MFP-3D Originを除く、全MFP-3Dモデルで利用可能。 MFP-3D Infinityの電圧範囲は±150 V）。

レーザー干渉変位計測（IDS; Interferometric Displacement Sensor）はCypher AFM/SPM のオプションであり、従来の光てこによるたわみ検出法（OBD, optical beam deflection）で使用されるカンチレバー角度の代わりに、カンチレバーのたわみ (deflection) を直接測定します。IDSは静電結合によるアーティファクトを排除し、特に圧電応答力顕微鏡（PFM）や…

nanoTDDB™ はCypher AFM/SPMで使用できるモードです。ナノスケールの精度で誘電体薄膜の破壊電圧を検出できるため、その特性評価が可能になります。導電性AFMプローブを流れる電流をモニタリングしながら、最大±150 V の一定または勾配変化させたバイアスを印加できます。